IC Bumping蝕刻液 ( Etchant )

  • 商品編號: 189375
  • 商品分類: IC Bumping蝕刻液 ( Etchant )
產品型號 RTE-AU1000AP
主要成份 KI + I2
作業溫度 < 40 ℃
蝕刻率( A / sec ) 130
特色產品 高金屬選擇比
  • 商品編號: 189376
  • 商品分類: IC Bumping蝕刻液 ( Etchant )
產品型號 RTE-TiA25 Ti-893 Ti-8020-D RTE-Ti01
主要成份 二劑型 HF F salt + H2O2 HF + H 2O2
作業溫度 30 ~ 40 ℃ RT RT RT
蝕刻率( A / sec ) 11 ~ 22 10 ~ 40 25 125
Undercut < 1 < 1 < 1 < 1
適用範圍 Ti / TiW Ti Ti Ti
產品特色 高金屬選擇比,不腐蝕 PI 高金屬選擇比,不腐蝕 PI  PI 上無鈦殘留 高金屬選擇比,不腐蝕 PI , PI 上無鈦殘留
  • 商品編號: 189377
  • 商品分類: IC Bumping蝕刻液 ( Etchant )
產品型號 RTE-CU30-V RTE-Cu30-A RTE-Cu30
主要成份 H3PO+ H2O2 H3PO+ H2O2 H3PO+ H2O2
作業溫度 RT RT RT
蝕刻率
( A / sec )
55 225 60
CD Loss (um) for 2×2線路 0.1 0.4 1.2
Undercut (um) <0.5 < 1 < 1.5
產品特色 細線路 CD loss 小

較高的蝕刻速率、

細線路銅製程適用

高金屬選擇比、優異濕潤性、

不腐蝕 PI 、細線路銅製程適用

  • 商品編號: 189655
  • 商品分類: IC Bumping蝕刻液 ( Etchant )
產品型號 RTE-Ni40
主要成份 H2SO4
作業溫度 30~80 ℃
蝕刻率 (A/min) 200 @ 25℃
產品特色

溫度操作範圍寬

蝕刻速度快

針對 Silicide 有特殊保護不腐蝕

  • 商品編號: 189656
  • 商品分類: IC Bumping蝕刻液 ( Etchant )
產品型號 RTE-Ta55
主要成份 KOH
作業溫度 62~68 ℃
蝕刻率 (A/min) 50
適用範圍 Ta/TaN
產品特色

高金屬選擇比

 

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